Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2107ENGRT
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
номер части
EPC2107ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
9-VFBGA
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.7A, 500mA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 35899 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Электронные компоненты
EPC2107ENGRT Продажи
EPC2107ENGRT Поставщик
EPC2107ENGRT Распределитель
EPC2107ENGRT Таблица данных
EPC2107ENGRT Фото
EPC2107ENGRT Цена
EPC2107ENGRT Предложение
EPC2107ENGRT Низшая цена
EPC2107ENGRT Поиск
EPC2107ENGRT Покупка
EPC2107ENGRT Chip