Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2108ENGRT
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
номер части
EPC2108ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
9-VFBGA
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V, 100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.7A, 500mA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30048 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT Электронные компоненты
EPC2108ENGRT Продажи
EPC2108ENGRT Поставщик
EPC2108ENGRT Распределитель
EPC2108ENGRT Таблица данных
EPC2108ENGRT Фото
EPC2108ENGRT Цена
EPC2108ENGRT Предложение
EPC2108ENGRT Низшая цена
EPC2108ENGRT Поиск
EPC2108ENGRT Покупка
EPC2108ENGRT Chip