Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2110
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
номер части
EPC2110
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
-
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3.4A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
80pF @ 60V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42123 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2110
EPC2110 Электронные компоненты
EPC2110 Продажи
EPC2110 Поставщик
EPC2110 Распределитель
EPC2110 Таблица данных
EPC2110 Фото
EPC2110 Цена
EPC2110 Предложение
EPC2110 Низшая цена
EPC2110 Поиск
EPC2110 Покупка
EPC2110 Chip