Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2110ENGRT
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
номер части
EPC2110ENGRT
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual) Common Source
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3.4A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
80pF @ 60V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 7847 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT Электронные компоненты
EPC2110ENGRT Продажи
EPC2110ENGRT Поставщик
EPC2110ENGRT Распределитель
EPC2110ENGRT Таблица данных
EPC2110ENGRT Фото
EPC2110ENGRT Цена
EPC2110ENGRT Предложение
EPC2110ENGRT Низшая цена
EPC2110ENGRT Поиск
EPC2110ENGRT Покупка
EPC2110ENGRT Chip