Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2111
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
номер части
EPC2111
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Мощность - Макс.
-
Пакет устройств поставщика
Die
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
16A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 15960 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2111
EPC2111 Электронные компоненты
EPC2111 Продажи
EPC2111 Поставщик
EPC2111 Распределитель
EPC2111 Таблица данных
EPC2111 Фото
EPC2111 Цена
EPC2111 Предложение
EPC2111 Низшая цена
EPC2111 Поиск
EPC2111 Покупка
EPC2111 Chip