Купить GeneSiC Semiconductor 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

номер части

1N1206A

Производитель/Бренд

GeneSiC Semiconductor

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Bulk

Тип монтажа

Chassis, Stud Mount

Пакет/кейс

DO-203AA, DO-4, Stud

Пакет устройств поставщика

DO-4

Тип диода

Standard

Ток – средний выпрямленный (Io)

12A

Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If

1.1V @ 12A

Ток – обратная утечка @ Vr

10µA @ 50V

Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)

600V

Скорость

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Время обратного восстановления (trr)

Рабочая температура - соединение

-65°C ~ 200°C

Емкость @ Вр, Ф

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 46971 PCS

Контактная информация