Купить GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

GA10SICP12-263

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

номер части

GA10SICP12-263

Производитель/Бренд

GeneSiC Semiconductor

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Tube

Технологии

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Рабочая Температура

175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Пакет устройств поставщика

D2PAK (7-Lead)

Рассеиваемая мощность (макс.)

170W (Tc)

Тип полевого транзистора

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

1200V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

25A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 10A

Vgs(th) (Макс) @ Id

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1403pF @ 800V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

ВГС (Макс)

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 11425 PCS

Контактная информация