Купить GeneSiC Semiconductor KBL610G DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

KBL610G

DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL

номер части

KBL610G

Производитель/Бренд

GeneSiC Semiconductor

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Bulk

Технологии

Standard

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет/кейс

4-SIP, KBL

Пакет устройств поставщика

KBL

Тип диода

Single Phase

Напряжение — пиковое обратное (макс.)

1kV

Ток – средний выпрямленный (Io)

Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If

1.1V @ 6A

Ток – обратная утечка @ Vr

5µA @ 1000V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 43776 PCS

Контактная информация