Купить GeneSiC Semiconductor MBR60035CTRL DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

MBR60035CTRL

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

номер части

MBR60035CTRL

Производитель/Бренд

GeneSiC Semiconductor

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Bulk

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

Twin Tower

Пакет устройств поставщика

Twin Tower

Тип диода

Schottky

Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If

600mV @ 300A

Ток – обратная утечка @ Vr

3mA @ 35V

Конфигурация диода

1 Pair Common Anode

Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)

35V

Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)

300A

Скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)

Время обратного восстановления (trr)

Рабочая температура - соединение

-55°C ~ 150°C

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 12499 PCS

Контактная информация