Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
номер части
GP1M003A080CH
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252, (D-Pak)
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
19nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
696pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 18786 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M003A080CH
GP1M003A080CH Электронные компоненты
GP1M003A080CH Продажи
GP1M003A080CH Поставщик
GP1M003A080CH Распределитель
GP1M003A080CH Таблица данных
GP1M003A080CH Фото
GP1M003A080CH Цена
GP1M003A080CH Предложение
GP1M003A080CH Низшая цена
GP1M003A080CH Поиск
GP1M003A080CH Покупка
GP1M003A080CH Chip