Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M003A090C

GP1M003A090C

MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
номер части
GP1M003A090C
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
D-Pak
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
748pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10851 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M003A090C
GP1M003A090C Электронные компоненты
GP1M003A090C Продажи
GP1M003A090C Поставщик
GP1M003A090C Распределитель
GP1M003A090C Таблица данных
GP1M003A090C Фото
GP1M003A090C Цена
GP1M003A090C Предложение
GP1M003A090C Низшая цена
GP1M003A090C Поиск
GP1M003A090C Покупка
GP1M003A090C Chip