Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M006A065F

GP1M006A065F

MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
номер части
GP1M006A065F
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3 Full Pack
Пакет устройств поставщика
TO-220F
Рассеиваемая мощность (макс.)
39W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
5.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1177pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16120 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M006A065F
GP1M006A065F Электронные компоненты
GP1M006A065F Продажи
GP1M006A065F Поставщик
GP1M006A065F Распределитель
GP1M006A065F Таблица данных
GP1M006A065F Фото
GP1M006A065F Цена
GP1M006A065F Предложение
GP1M006A065F Низшая цена
GP1M006A065F Поиск
GP1M006A065F Покупка
GP1M006A065F Chip