Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
номер части
GP1M007A090FH
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3 Full Pack
Пакет устройств поставщика
TO-220F
Рассеиваемая мощность (макс.)
40.3W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
49nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1969pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 14481 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M007A090FH
GP1M007A090FH Электронные компоненты
GP1M007A090FH Продажи
GP1M007A090FH Поставщик
GP1M007A090FH Распределитель
GP1M007A090FH Таблица данных
GP1M007A090FH Фото
GP1M007A090FH Цена
GP1M007A090FH Предложение
GP1M007A090FH Низшая цена
GP1M007A090FH Поиск
GP1M007A090FH Покупка
GP1M007A090FH Chip