Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M007A090H

GP1M007A090H

MOSFET N-CH 900V 7A TO220
номер части
GP1M007A090H
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
49nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1969pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 51375 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M007A090H
GP1M007A090H Электронные компоненты
GP1M007A090H Продажи
GP1M007A090H Поставщик
GP1M007A090H Распределитель
GP1M007A090H Таблица данных
GP1M007A090H Фото
GP1M007A090H Цена
GP1M007A090H Предложение
GP1M007A090H Низшая цена
GP1M007A090H Поиск
GP1M007A090H Покупка
GP1M007A090H Chip