Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
номер части
GP1M008A025PG
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Пакет устройств поставщика
I-PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
423pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8432 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M008A025PG
GP1M008A025PG Электронные компоненты
GP1M008A025PG Продажи
GP1M008A025PG Поставщик
GP1M008A025PG Распределитель
GP1M008A025PG Таблица данных
GP1M008A025PG Фото
GP1M008A025PG Цена
GP1M008A025PG Предложение
GP1M008A025PG Низшая цена
GP1M008A025PG Поиск
GP1M008A025PG Покупка
GP1M008A025PG Chip