Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
номер части
GP1M009A020PG
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Пакет устройств поставщика
I-PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.6nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
414pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34941 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M009A020PG
GP1M009A020PG Электронные компоненты
GP1M009A020PG Продажи
GP1M009A020PG Поставщик
GP1M009A020PG Распределитель
GP1M009A020PG Таблица данных
GP1M009A020PG Фото
GP1M009A020PG Цена
GP1M009A020PG Предложение
GP1M009A020PG Низшая цена
GP1M009A020PG Поиск
GP1M009A020PG Покупка
GP1M009A020PG Chip