Купить Global Power Technologies Group GP1M010A080N MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

GP1M010A080N

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

номер части

GP1M010A080N

Производитель/Бренд

Global Power Technologies Group

Ряд

Статус детали

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет/кейс

TO-3P-3, SC-65-3

Пакет устройств поставщика

TO-3PN

Рассеиваемая мощность (макс.)

312W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

900V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

10A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

53nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

2336pF @ 25V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±30V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 53973 PCS

Контактная информация