Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
GP1M020A060M

GP1M020A060M

MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
номер части
GP1M020A060M
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика
TO-3P
Рассеиваемая мощность (макс.)
347W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
76nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2097pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24762 PCS
Контактная информация
Ключевые слова GP1M020A060M
GP1M020A060M Электронные компоненты
GP1M020A060M Продажи
GP1M020A060M Поставщик
GP1M020A060M Распределитель
GP1M020A060M Таблица данных
GP1M020A060M Фото
GP1M020A060M Цена
GP1M020A060M Предложение
GP1M020A060M Низшая цена
GP1M020A060M Поиск
GP1M020A060M Покупка
GP1M020A060M Chip