Купить Global Power Technologies Group GSID200A170S3B1 SILICON IGBT MODULES

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

GSID200A170S3B1

SILICON IGBT MODULES

номер части

GSID200A170S3B1

Производитель/Бренд

Global Power Technologies Group

Ряд

Amp+™

Статус детали

Active

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

D-3 Module

Мощность - Макс.

1630W

Конфигурация

2 Independent

Пакет устройств поставщика

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

400A

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

1200V

Ток-отсечка коллектора (макс.)

1mA

Тип БТИЗ

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Входная емкость (Cies) при Vce

26nF @ 25V

Вход

Standard

НТЦ-термистор

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 20201 PCS

Контактная информация