Купить Global Power Technologies Group GSID600A120S4B1 SILICON IGBT MODULES

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

GSID600A120S4B1

SILICON IGBT MODULES

номер части

GSID600A120S4B1

Производитель/Бренд

Global Power Technologies Group

Ряд

Amp+™

Статус детали

Active

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

Module

Мощность - Макс.

3060W

Конфигурация

Half Bridge

Пакет устройств поставщика

Module

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

1130A

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

1200V

Ток-отсечка коллектора (макс.)

1mA

Тип БТИЗ

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Входная емкость (Cies) при Vce

51nF @ 25V

Вход

Standard

НТЦ-термистор

Yes

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 52309 PCS

Контактная информация