Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
номер части
IPB147N03LGATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263AB)
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
14.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
10nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1000pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27959 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB147N03LGATMA1
IPB147N03LGATMA1 Электронные компоненты
IPB147N03LGATMA1 Продажи
IPB147N03LGATMA1 Поставщик
IPB147N03LGATMA1 Распределитель
IPB147N03LGATMA1 Таблица данных
IPB147N03LGATMA1 Фото
IPB147N03LGATMA1 Цена
IPB147N03LGATMA1 Предложение
IPB147N03LGATMA1 Низшая цена
IPB147N03LGATMA1 Поиск
IPB147N03LGATMA1 Покупка
IPB147N03LGATMA1 Chip