Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB79CN10N G

IPB79CN10N G

MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
номер части
IPB79CN10N G
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263AB)
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
13A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
79 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 12µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
11nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
716pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25528 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB79CN10N G
IPB79CN10N G Электронные компоненты
IPB79CN10N G Продажи
IPB79CN10N G Поставщик
IPB79CN10N G Распределитель
IPB79CN10N G Таблица данных
IPB79CN10N G Фото
IPB79CN10N G Цена
IPB79CN10N G Предложение
IPB79CN10N G Низшая цена
IPB79CN10N G Поиск
IPB79CN10N G Покупка
IPB79CN10N G Chip