Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
номер части
IPD135N08N3GBTMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
45A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
25nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1730pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48012 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD135N08N3GBTMA1
IPD135N08N3GBTMA1 Электронные компоненты
IPD135N08N3GBTMA1 Продажи
IPD135N08N3GBTMA1 Поставщик
IPD135N08N3GBTMA1 Распределитель
IPD135N08N3GBTMA1 Таблица данных
IPD135N08N3GBTMA1 Фото
IPD135N08N3GBTMA1 Цена
IPD135N08N3GBTMA1 Предложение
IPD135N08N3GBTMA1 Низшая цена
IPD135N08N3GBTMA1 Поиск
IPD135N08N3GBTMA1 Покупка
IPD135N08N3GBTMA1 Chip