Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
номер части
IPD16CN10N G
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
53A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 61µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
48nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3220pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36363 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IPD16CN10N G
IPD16CN10N G Электронные компоненты
IPD16CN10N G Продажи
IPD16CN10N G Поставщик
IPD16CN10N G Распределитель
IPD16CN10N G Таблица данных
IPD16CN10N G Фото
IPD16CN10N G Цена
IPD16CN10N G Предложение
IPD16CN10N G Низшая цена
IPD16CN10N G Поиск
IPD16CN10N G Покупка
IPD16CN10N G Chip