Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF6674TR1PBF

IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
номер части
IRF6674TR1PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
DirectFET™ Isometric MZ
Пакет устройств поставщика
DIRECTFET™ MZ
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
36nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1350pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8572 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF6674TR1PBF
IRF6674TR1PBF Электронные компоненты
IRF6674TR1PBF Продажи
IRF6674TR1PBF Поставщик
IRF6674TR1PBF Распределитель
IRF6674TR1PBF Таблица данных
IRF6674TR1PBF Фото
IRF6674TR1PBF Цена
IRF6674TR1PBF Предложение
IRF6674TR1PBF Низшая цена
IRF6674TR1PBF Поиск
IRF6674TR1PBF Покупка
IRF6674TR1PBF Chip