Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF6712STR1PBF

IRF6712STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
номер части
IRF6712STR1PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
DirectFET™ Isometric SQ
Пакет устройств поставщика
DIRECTFET™ SQ
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1570pF @ 13V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16589 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF6712STR1PBF
IRF6712STR1PBF Электронные компоненты
IRF6712STR1PBF Продажи
IRF6712STR1PBF Поставщик
IRF6712STR1PBF Распределитель
IRF6712STR1PBF Таблица данных
IRF6712STR1PBF Фото
IRF6712STR1PBF Цена
IRF6712STR1PBF Предложение
IRF6712STR1PBF Низшая цена
IRF6712STR1PBF Поиск
IRF6712STR1PBF Покупка
IRF6712STR1PBF Chip