Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF6726MTR1PBF

IRF6726MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
номер части
IRF6726MTR1PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
DirectFET™ Isometric MT
Пакет устройств поставщика
DIRECTFET™ MT
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
77nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6140pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33432 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF6726MTR1PBF
IRF6726MTR1PBF Электронные компоненты
IRF6726MTR1PBF Продажи
IRF6726MTR1PBF Поставщик
IRF6726MTR1PBF Распределитель
IRF6726MTR1PBF Таблица данных
IRF6726MTR1PBF Фото
IRF6726MTR1PBF Цена
IRF6726MTR1PBF Предложение
IRF6726MTR1PBF Низшая цена
IRF6726MTR1PBF Поиск
IRF6726MTR1PBF Покупка
IRF6726MTR1PBF Chip