Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF6727MTR1PBF

IRF6727MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
номер части
IRF6727MTR1PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
DirectFET™ Isometric MX
Пакет устройств поставщика
DIRECTFET™ MX
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6190pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 17645 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF6727MTR1PBF
IRF6727MTR1PBF Электронные компоненты
IRF6727MTR1PBF Продажи
IRF6727MTR1PBF Поставщик
IRF6727MTR1PBF Распределитель
IRF6727MTR1PBF Таблица данных
IRF6727MTR1PBF Фото
IRF6727MTR1PBF Цена
IRF6727MTR1PBF Предложение
IRF6727MTR1PBF Низшая цена
IRF6727MTR1PBF Поиск
IRF6727MTR1PBF Покупка
IRF6727MTR1PBF Chip