Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF6775MTR1PBF

IRF6775MTR1PBF

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
номер части
IRF6775MTR1PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
DirectFET™ Isometric MZ
Пакет устройств поставщика
DIRECTFET™ MZ
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
36nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1411pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 11016 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF6775MTR1PBF
IRF6775MTR1PBF Электронные компоненты
IRF6775MTR1PBF Продажи
IRF6775MTR1PBF Поставщик
IRF6775MTR1PBF Распределитель
IRF6775MTR1PBF Таблица данных
IRF6775MTR1PBF Фото
IRF6775MTR1PBF Цена
IRF6775MTR1PBF Предложение
IRF6775MTR1PBF Низшая цена
IRF6775MTR1PBF Поиск
IRF6775MTR1PBF Покупка
IRF6775MTR1PBF Chip