Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF6892STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 28A S3
номер части
IRF6892STR1PBF
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
DirectFET™ Isometric S3C
Пакет устройств поставщика
DIRECTFET™ S3C
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2510pF @ 13V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 41920 PCS
Ключевые слова IRF6892STR1PBF
IRF6892STR1PBF Электронные компоненты
IRF6892STR1PBF Продажи
IRF6892STR1PBF Поставщик
IRF6892STR1PBF Распределитель
IRF6892STR1PBF Таблица данных
IRF6892STR1PBF Фото
IRF6892STR1PBF Цена
IRF6892STR1PBF Предложение
IRF6892STR1PBF Низшая цена
IRF6892STR1PBF Поиск
IRF6892STR1PBF Покупка
IRF6892STR1PBF Chip