Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF7351PBF

IRF7351PBF

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
номер части
IRF7351PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Not For New Designs
Упаковка
Tube
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
2W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
17.8 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
36nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1330pF @ 30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 26085 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF7351PBF
IRF7351PBF Электронные компоненты
IRF7351PBF Продажи
IRF7351PBF Поставщик
IRF7351PBF Распределитель
IRF7351PBF Таблица данных
IRF7351PBF Фото
IRF7351PBF Цена
IRF7351PBF Предложение
IRF7351PBF Низшая цена
IRF7351PBF Поиск
IRF7351PBF Покупка
IRF7351PBF Chip