Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF7701GTRPBF

IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
номер части
IRF7701GTRPBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-TSSOP
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5050pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 51027 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF Электронные компоненты
IRF7701GTRPBF Продажи
IRF7701GTRPBF Поставщик
IRF7701GTRPBF Распределитель
IRF7701GTRPBF Таблица данных
IRF7701GTRPBF Фото
IRF7701GTRPBF Цена
IRF7701GTRPBF Предложение
IRF7701GTRPBF Низшая цена
IRF7701GTRPBF Поиск
IRF7701GTRPBF Покупка
IRF7701GTRPBF Chip