Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFB4233PBF

IRFB4233PBF

MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
номер части
IRFB4233PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
370W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
230V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
56A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
170nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5510pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34610 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFB4233PBF
IRFB4233PBF Электронные компоненты
IRFB4233PBF Продажи
IRFB4233PBF Поставщик
IRFB4233PBF Распределитель
IRFB4233PBF Таблица данных
IRFB4233PBF Фото
IRFB4233PBF Цена
IRFB4233PBF Предложение
IRFB4233PBF Низшая цена
IRFB4233PBF Поиск
IRFB4233PBF Покупка
IRFB4233PBF Chip