Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFB59N10DPBF

IRFB59N10DPBF

MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
номер части
IRFB59N10DPBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
59A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
114nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2450pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 14179 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFB59N10DPBF
IRFB59N10DPBF Электронные компоненты
IRFB59N10DPBF Продажи
IRFB59N10DPBF Поставщик
IRFB59N10DPBF Распределитель
IRFB59N10DPBF Таблица данных
IRFB59N10DPBF Фото
IRFB59N10DPBF Цена
IRFB59N10DPBF Предложение
IRFB59N10DPBF Низшая цена
IRFB59N10DPBF Поиск
IRFB59N10DPBF Покупка
IRFB59N10DPBF Chip