Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFB61N15DPBF

IRFB61N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
номер части
IRFB61N15DPBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
140nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3470pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24546 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF Электронные компоненты
IRFB61N15DPBF Продажи
IRFB61N15DPBF Поставщик
IRFB61N15DPBF Распределитель
IRFB61N15DPBF Таблица данных
IRFB61N15DPBF Фото
IRFB61N15DPBF Цена
IRFB61N15DPBF Предложение
IRFB61N15DPBF Низшая цена
IRFB61N15DPBF Поиск
IRFB61N15DPBF Покупка
IRFB61N15DPBF Chip