Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFSL4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
номер части
IRFSL4310PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
TO-262
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
130A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
250nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7670pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41345 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IRFSL4310PBF
IRFSL4310PBF Электронные компоненты
IRFSL4310PBF Продажи
IRFSL4310PBF Поставщик
IRFSL4310PBF Распределитель
IRFSL4310PBF Таблица данных
IRFSL4310PBF Фото
IRFSL4310PBF Цена
IRFSL4310PBF Предложение
IRFSL4310PBF Низшая цена
IRFSL4310PBF Поиск
IRFSL4310PBF Покупка
IRFSL4310PBF Chip