Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRLMS2002GTRPBF

IRLMS2002GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
номер части
IRLMS2002GTRPBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6
Пакет устройств поставщика
Micro6™(SOT23-6)
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
22nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1310pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8221 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF Электронные компоненты
IRLMS2002GTRPBF Продажи
IRLMS2002GTRPBF Поставщик
IRLMS2002GTRPBF Распределитель
IRLMS2002GTRPBF Таблица данных
IRLMS2002GTRPBF Фото
IRLMS2002GTRPBF Цена
IRLMS2002GTRPBF Предложение
IRLMS2002GTRPBF Низшая цена
IRLMS2002GTRPBF Поиск
IRLMS2002GTRPBF Покупка
IRLMS2002GTRPBF Chip