Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXDI602SI
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
номер части
IXDI602SI
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Тип ввода
Inverting
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Пакет устройств поставщика
8-SOIC-EP
Напряжение питания
4.5 V ~ 35 V
Тип канала
Independent
Управляемая конфигурация
Low-Side
Количество водителей
2
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Логическое напряжение – VIL, VIH
0.8V, 3V
Ток — пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка)
-
Время подъема/спада (типичное)
7.5ns, 6.5ns
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48431 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXDI602SI
IXDI602SI Электронные компоненты
IXDI602SI Продажи
IXDI602SI Поставщик
IXDI602SI Распределитель
IXDI602SI Таблица данных
IXDI602SI Фото
IXDI602SI Цена
IXDI602SI Предложение
IXDI602SI Низшая цена
IXDI602SI Поиск
IXDI602SI Покупка
IXDI602SI Chip