Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXDI602SIA
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
номер части
IXDI602SIA
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Тип ввода
Inverting
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SOIC
Напряжение питания
4.5 V ~ 35 V
Тип канала
Independent
Управляемая конфигурация
Low-Side
Количество водителей
2
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Логическое напряжение – VIL, VIH
0.8V, 3V
Ток — пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка)
-
Время подъема/спада (типичное)
7.5ns, 6.5ns
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16313 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXDI602SIA
IXDI602SIA Электронные компоненты
IXDI602SIA Продажи
IXDI602SIA Поставщик
IXDI602SIA Распределитель
IXDI602SIA Таблица данных
IXDI602SIA Фото
IXDI602SIA Цена
IXDI602SIA Предложение
IXDI602SIA Низшая цена
IXDI602SIA Поиск
IXDI602SIA Покупка
IXDI602SIA Chip