Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXDI602SITR
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
номер части
IXDI602SITR
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип ввода
Inverting
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Пакет устройств поставщика
8-SOIC-EP
Напряжение питания
4.5 V ~ 35 V
Тип канала
Independent
Управляемая конфигурация
Low-Side
Количество водителей
2
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Логическое напряжение – VIL, VIH
0.8V, 3V
Ток — пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка)
-
Время подъема/спада (типичное)
7.5ns, 6.5ns
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10705 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXDI602SITR
IXDI602SITR Электронные компоненты
IXDI602SITR Продажи
IXDI602SITR Поставщик
IXDI602SITR Распределитель
IXDI602SITR Таблица данных
IXDI602SITR Фото
IXDI602SITR Цена
IXDI602SITR Предложение
IXDI602SITR Низшая цена
IXDI602SITR Поиск
IXDI602SITR Покупка
IXDI602SITR Chip