Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
номер части
IXDN602SI
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Тип ввода
Non-Inverting
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Пакет устройств поставщика
8-SOIC-EP
Напряжение питания
4.5 V ~ 35 V
Тип канала
Independent
Управляемая конфигурация
Low-Side
Количество водителей
2
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Логическое напряжение – VIL, VIH
0.8V, 3V
Ток — пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка)
-
Время подъема/спада (типичное)
7.5ns, 6.5ns
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 37351 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXDN602SI
IXDN602SI Электронные компоненты
IXDN602SI Продажи
IXDN602SI Поставщик
IXDN602SI Распределитель
IXDN602SI Таблица данных
IXDN602SI Фото
IXDN602SI Цена
IXDN602SI Предложение
IXDN602SI Низшая цена
IXDN602SI Поиск
IXDN602SI Покупка
IXDN602SI Chip