Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXDN602SITR

IXDN602SITR

2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT
номер части
IXDN602SITR
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип ввода
Non-Inverting
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Пакет устройств поставщика
8-SOIC-EP
Напряжение питания
4.5 V ~ 35 V
Тип канала
Independent
Управляемая конфигурация
Low-Side
Количество водителей
2
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Логическое напряжение – VIL, VIH
0.8V, 3V
Ток — пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка)
-
Время подъема/спада (типичное)
7.5ns, 6.5ns
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36212 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXDN602SITR
IXDN602SITR Электронные компоненты
IXDN602SITR Продажи
IXDN602SITR Поставщик
IXDN602SITR Распределитель
IXDN602SITR Таблица данных
IXDN602SITR Фото
IXDN602SITR Цена
IXDN602SITR Предложение
IXDN602SITR Низшая цена
IXDN602SITR Поиск
IXDN602SITR Покупка
IXDN602SITR Chip