Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFA3N120TRL

IXFA3N120TRL

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
номер части
IXFA3N120TRL
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
39nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1050pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42944 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL Электронные компоненты
IXFA3N120TRL Продажи
IXFA3N120TRL Поставщик
IXFA3N120TRL Распределитель
IXFA3N120TRL Таблица данных
IXFA3N120TRL Фото
IXFA3N120TRL Цена
IXFA3N120TRL Предложение
IXFA3N120TRL Низшая цена
IXFA3N120TRL Поиск
IXFA3N120TRL Покупка
IXFA3N120TRL Chip