Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFA5N100P

IXFA5N100P

MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
номер части
IXFA5N100P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (IXFA)
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1830pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50291 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFA5N100P
IXFA5N100P Электронные компоненты
IXFA5N100P Продажи
IXFA5N100P Поставщик
IXFA5N100P Распределитель
IXFA5N100P Таблица данных
IXFA5N100P Фото
IXFA5N100P Цена
IXFA5N100P Предложение
IXFA5N100P Низшая цена
IXFA5N100P Поиск
IXFA5N100P Покупка
IXFA5N100P Chip