Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFB50N80Q2

IXFB50N80Q2

MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
номер части
IXFB50N80Q2
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-264-3, TO-264AA
Пакет устройств поставщика
PLUS264™
Рассеиваемая мощность (макс.)
1135W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
260nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7200pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27543 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFB50N80Q2
IXFB50N80Q2 Электронные компоненты
IXFB50N80Q2 Продажи
IXFB50N80Q2 Поставщик
IXFB50N80Q2 Распределитель
IXFB50N80Q2 Таблица данных
IXFB50N80Q2 Фото
IXFB50N80Q2 Цена
IXFB50N80Q2 Предложение
IXFB50N80Q2 Низшая цена
IXFB50N80Q2 Поиск
IXFB50N80Q2 Покупка
IXFB50N80Q2 Chip