Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFH8N80

IXFH8N80

MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
номер части
IXFH8N80
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AD (IXFH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2600pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 54365 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFH8N80
IXFH8N80 Электронные компоненты
IXFH8N80 Продажи
IXFH8N80 Поставщик
IXFH8N80 Распределитель
IXFH8N80 Таблица данных
IXFH8N80 Фото
IXFH8N80 Цена
IXFH8N80 Предложение
IXFH8N80 Низшая цена
IXFH8N80 Поиск
IXFH8N80 Покупка
IXFH8N80 Chip