Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFK360N10T

IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
номер части
IXFK360N10T
Производитель/Бренд
Ряд
GigaMOS™ HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-264-3, TO-264AA
Пакет устройств поставщика
TO-264AA (IXFK)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
360A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
525nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
33000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 26867 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFK360N10T
IXFK360N10T Электронные компоненты
IXFK360N10T Продажи
IXFK360N10T Поставщик
IXFK360N10T Распределитель
IXFK360N10T Таблица данных
IXFK360N10T Фото
IXFK360N10T Цена
IXFK360N10T Предложение
IXFK360N10T Низшая цена
IXFK360N10T Поиск
IXFK360N10T Покупка
IXFK360N10T Chip