Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFX26N120P

IXFX26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
номер части
IXFX26N120P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
PLUS247™-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
26A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
225nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
16000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 12250 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFX26N120P
IXFX26N120P Электронные компоненты
IXFX26N120P Продажи
IXFX26N120P Поставщик
IXFX26N120P Распределитель
IXFX26N120P Таблица данных
IXFX26N120P Фото
IXFX26N120P Цена
IXFX26N120P Предложение
IXFX26N120P Низшая цена
IXFX26N120P Поиск
IXFX26N120P Покупка
IXFX26N120P Chip