Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFX30N100Q2

IXFX30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
номер части
IXFX30N100Q2
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
PLUS247™-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
735W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
186nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
8200pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 53905 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFX30N100Q2
IXFX30N100Q2 Электронные компоненты
IXFX30N100Q2 Продажи
IXFX30N100Q2 Поставщик
IXFX30N100Q2 Распределитель
IXFX30N100Q2 Таблица данных
IXFX30N100Q2 Фото
IXFX30N100Q2 Цена
IXFX30N100Q2 Предложение
IXFX30N100Q2 Низшая цена
IXFX30N100Q2 Поиск
IXFX30N100Q2 Покупка
IXFX30N100Q2 Chip