Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFX30N110P

IXFX30N110P

MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
номер части
IXFX30N110P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
PLUS247™-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
235nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
13600pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21270 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFX30N110P
IXFX30N110P Электронные компоненты
IXFX30N110P Продажи
IXFX30N110P Поставщик
IXFX30N110P Распределитель
IXFX30N110P Таблица данных
IXFX30N110P Фото
IXFX30N110P Цена
IXFX30N110P Предложение
IXFX30N110P Низшая цена
IXFX30N110P Поиск
IXFX30N110P Покупка
IXFX30N110P Chip